MOSFET tube d'effet de champ - Sélection du tube MOS - Solution de gestion de l'énergie - Shanghai Leiditech Electronics Technology Co., Ltd.

MOSFET double canal N

LM4001N

  • PackageSOT-363
  • Vdss Min(V) Drain-Source voltage30
  • Drain Current ID(A)25℃0.25
  • Vgs(V)20
  • Vth Typ1.1
  • Ron(10V) (mΩ)Typ1500
  • Ron(10V) (mΩ) Max2000
  • Ron(4.5V) (mΩ)Typ2000
  • Ron(4.5V) (mΩ)Max3000
  • de plus en plus Moins
    Caractéristiques /Applications
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